Диод Шоттки SS34B / 3А, 40В, DO-214AA (SMB)
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 52271
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SS34FA / 3А, 40В, SOD-123F
MIC (Master Instruments)
Код: 43602
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SS34FA / 3А, 40В, SOD-123FL
ON Semiconductor
Код: 53009
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 51713
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки SS54 (KSE) / 5А, 40В, DO-214AB (SMC)
KSE (Keen Side)
Код: 49377
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки STPS0560Z / 0.5A, 60V, SOD-123
ST Microelectronics
Код: 32908
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки STPS20120D / 20А, 120В, TO-220
ST Microelectronics
Код: 37160
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки STPS3150U / 3А, 150В, SMB
ST Microelectronics
Код: 42341
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 44426
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 28797
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки STPS41L30CG-TR / 40А, 30В, D2PAK
ST Microelectronics
Код: 36435
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки STPS60SM200CW / 60A, 200V, TO-247-3
ST Microelectronics
Код: 32970
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 33278
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 19003
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 19004
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 29485
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 51589
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 30841
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 30842
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 28798
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 48018
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 08182
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 18123
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 19094
|
Нет в наличии
|
- |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.