+375(17)316-14-10
  |
Код: 55464
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 20CTQ150 / 2x10А, 150В, TO-220, общий катод
KLS Electronic
Код: 51363
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 43494
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 30BQ100TRPBF-SMC / 3А, 100В, DO-214AB
KLS Electronic
Код: 46001
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 14528
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 09872
 |
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 45030
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 17951
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 32624
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 40747
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки B1100-13-F / 1А, 100В, DO-214AC (SMA)
DIO (DIODES INC.)
Код: 44355
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки B160B-13-F / 1А, 60В, DO-214AA
DIO (DIODES INC.)
Код: 19211
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки B360C-13-F / 3А, 60B, DO-214AB (SMC)
DIO (DIODES INC.)
Код: 39583
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки BAR42FILM / 0.1А, 30В, SOT-23
ST Microelectronics
Код: 12444
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки BAS40-04 / 0.2А, 40В, SOT-23
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 37582
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки BAT54A / 0.2А, 30В, общий анод, SOT-23
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 47862
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки BAT54C (DIO) / 0.2А, 30В, SOT-23
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 54296
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 05027
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 54250
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки BAT54JFILM / 0.2А, 30В, SOD-323
STM (ST Microelectronics)
Код: 54297
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 46720
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки BAT54WS (DIO) / 0,2А, 30В, SOD-323F
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Код: 47052
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки BAT85 / 0.2А, 30В, DO-34
DC Components
Код: 56888
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 11355
|
Нет в наличии
|
- |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
