![]() |
Транзистор IGBT STGW30V60DF / 600В, 60А, TO-247
ST (ST Microelectronics)
Код: 51018
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT STGW39NC60VD / 600В, 80А, TO-247
ST Microelectronics
Код: 12913
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT STGW45HF60WD / 600В, 70А, TO-247
ST Microelectronics
Код: 30372
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 30609
![]() ![]() ![]() Относительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT NPT SGP30N60HS / 600В, 41А, TO-220
INFINEON (INF)
Код: 40737
![]() ![]() ![]() Относительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT NPT SGW30N60HS / 600В, 41А, TO-247
INFINEON (INF)
Код: 40741
![]() ![]() ![]() Относительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT NPT SGW50N60HS / 600В, 100А, TO-247
INFINEON (INF)
Код: 36250
![]() ![]() ![]() Относительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.
|
Нет в наличии
|
- |
|
IGBT транзистор это гибридный Биполярно-полевой транзистор или Биполярный транзистор с изолированным затвором.
Транзисторы IGBT широко применяются в силовой электронике. Это трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Как правило IGBT транзистор имеет три электрода Эмиттер, Коллектор и Затвор.
Управляющий электрод затвор называется как аналогичный электрод у полевого транзистора, два других электрода — эмиттер и коллектор, как у биполярного.
Выбрать и купить транзисторы IGBT вы можете в нашем магазине в Минске. Или заказать доставку курьером по Минску и почтой по Беларуси.