+375(17)316-14-10
  |
Диод Шоттки MBR20100CT (YJ) / 20А, 100В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 43545
|
16 шт | 1.49 руб./шт |
|
|
Код: 12710
 |
5 шт | 1.20 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20200CT / 20А, 200В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 37023
|
17 шт | 1.34 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR2045CT / 20А, 45В, TO-220-3
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40749
|
5 шт | 1.18 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR30100CT / 30А, 100В, TO-220
JSM (JSMICRO)
Код: 55204
|
21 шт | 1.06 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR3060CT / 30А, 60В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 49809
|
1 шт | 1.73 руб./шт |
|
  |
Код: 41661
|
50 шт | 2.47 руб./шт |
|
|
Код: 41658
|
1 шт | 1.70 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRB1060CT / 5А, 60В, D2PАK (TO-263AB)
ISC (Inchange Semiconductor)
Код: 38454
|
67 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRB20100CT / 20А, 100В, D2PAK
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40261
|
146 шт | 1.70 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRB30150CTS / 2x15А, 150В, DPAK (TO-252)
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 57197
|
4 шт | 1.66 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRB3045CTS / 30А, 45В, D2PAK
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48302
|
14 шт | 1.68 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRF10100CT / 10А, 100В, TO-220F
ON Semiconductor
Код: 06785
|
176 шт | 0.96 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRF20100SCT / 20А, 100В, TO-220F
Keen Side (KSE)
Код: 56901
|
19 шт | 0.79 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRS1100 / 1А, 100В, DO-214AA(SMB)
Keen Side (KSE)
Код: 52441
|
22 шт | 0.26 руб./шт |
|
|
Код: 57055
|
10 шт | 0.31 руб./шт |
|
|
Код: 53766
|
16 шт | 0.86 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRS130LT3G / 1А, 30В, DO-214AA(SMB)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 49167
|
74 шт | 1.10 руб./шт |
|
|
Код: 48294
|
3 шт | 0.19 руб./шт |
|
|
Код: 56620
|
10 шт | 0.46 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRS360BT3G / 3А, 60В, DO-214AA (SMB)
ON Semiconductor
Код: 51397
|
25 шт | 1.26 руб./шт |
|
  |
Код: 51672
|
77 шт | 0.22 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки RB751S40T1G / 0,03А, 30В, SOD-523
ONS (ON Semiconductor)
Код: 50486
|
31 шт | 0.26 руб./шт |
|
|
Код: 52316
|
52 шт | 0.38 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
