+375(17)316-14-10
  |
Диод Шоттки BAT54SLT1G (ONS) / 0.8А, 30В, SOT-23
ONS (ON Semiconductor)
Код: 53834
|
59 шт | 0.22 руб./шт |
|
  |
Код: 52556
 |
80 шт | 0.12 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT54W / 0,2А, 30В, SOD-323F
Tak Cheong
Код: 57331
|
886 шт | 0.06 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT54WS (KSE) / 0,2А, 30В, SOD-323F
Keen Side (KSE)
Код: 48590
|
200 шт | 0.05 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT54XV2 / 0,2А, 30В, SOD-523
ON Semiconductor
Код: 47317
|
42 шт | 0.17 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT60J / SOD-323, 3A, 10V
STM (ST Microelectronics)
Код: 53413
|
22 шт | 0.41 руб./шт |
|
|
Код: 54821
|
50 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Код: 37352
|
10 шт | 0.96 руб./шт |
|
|
Код: 43837
|
34 шт | 0.53 руб./шт |
|
|
Код: 41619
|
46 шт | 0.14 руб./шт |
|
  |
Код: 07275
|
48 шт | 0.31 руб./шт |
|
  |
Код: 51979
|
5 шт | 9.05 руб./шт |
|
  |
Код: 57215
|
18 шт | 0.50 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки FSV340AF / 3А, 40В, DO-214AD (SMAF)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 53132
|
3 шт | 1.63 руб./шт |
|
  |
Код: 55487
|
21 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0530 / 0.5А, 30В, SOD-123
Keen Side (KSE)
Код: 56782
|
3 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540 (YJ) / 0.5А, 40В, SOD-123
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48458
|
192 шт | 0.20 руб./шт |
|
|
Код: 48163
|
8 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540T1G / 0.5А, 40В, SOD-123
ON Semiconductor
Код: 52295
|
5 шт | 0.60 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR10100CT / 10А, 100В, TO-220
MIC (Master Instruments)
Код: 33141
|
26 шт | 2.23 руб./шт |
|
  |
Код: 12593
|
5 шт | 4.03 руб./шт |
|
|
Код: 14716
|
9 шт | 2.64 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR1645 / 16А, 45В, TO-220AC
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 35557
|
32 шт | 1.42 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (KSE) / 20А, 100В, TO-220
Keen Side (KSE)
Код: 54357
|
8 шт | 0.96 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
