![]() |
Транзистор IGBT STGW60V60DF / 600В, 80А, TO-247
ST Microelectronics
Код: 30310
|
2 шт | 29.76 руб./шт |
|
![]() |
Код: 44009
|
44 шт | 5.54 руб./шт |
|
![]() |
Код: 54130
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 32687
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 37435
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT FGH40N60SFDTU / 600В, 80А, TO-247
Fairchild (ONS)
Код: 08035
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT FGH40N60SMD / 600В, 80А, TO-247
Fairchild (ONS)
Код: 43717
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 36381
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT FGH60N60SFDTU / 600В, 120А, TO-247
Fairchild (ONS)
Код: 17500
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 37369
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 34390
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT FGL40N120 / 1200В, 40А, TO-264
ST Microelectronics
Код: 16026
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 32467
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT FGP20N60UFD / 600В, 20А, TO-220
ONS (ON Semiconductor)
Код: 53242
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 32017
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 32018
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT HGTG11N120CND / 1200В, 43А, TO-247
ONS (ON Semiconductor)
Код: 55916
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT HGTG30N60A4D / 600В, 30А, TO-247
Fairchild (ONS)
Код: 11678
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 42263
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Код: 34121
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT IKW15N120H3FKSA1 / 1200В, 30А, TO-247
INFINEON (INF)
Код: 57454
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT IKW25N120T2FKSA1 / 1200В, 50А, TO-247
INFINEON (INF)
Код: 34038
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT IKW40N60H3FKSA1 / 600В, 80А, TO-247
INFINEON (INF)
Код: 39369
|
Нет в наличии
|
- |
|
![]() |
Транзистор IGBT IKW40N65ES5XKSA1 / 650В.40А, TO-247
INFINEON (INF)
Код: 30963
|
Нет в наличии
|
- |
|
IGBT транзистор это гибридный Биполярно-полевой транзистор или Биполярный транзистор с изолированным затвором.
Транзисторы IGBT широко применяются в силовой электронике. Это трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Как правило IGBT транзистор имеет три электрода Эмиттер, Коллектор и Затвор.
Управляющий электрод затвор называется как аналогичный электрод у полевого транзистора, два других электрода — эмиттер и коллектор, как у биполярного.
Выбрать и купить транзисторы IGBT вы можете в нашем магазине в Минске. Или заказать доставку курьером по Минску и почтой по Беларуси.