+375(17)316-14-10
  |
Код: 57180
|
10 шт | 0.34 руб./шт |
|
|
Код: 33994
|
48 шт | 1.27 руб./шт |
|
  |
Код: 56519
|
12 шт | 0.10 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAS40-04 (DC) / 0.2А, 40В, SOT-23
DC (DC Components)
Код: 48878
|
20 шт | 0.14 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAS85 (KSE) / 0.2А, 30В, SOD-80
Keen Side (KSE)
Код: 53649
 
|
Ожидается: 15.07.2025
|
- |
|
|
Диод Шоттки BAS85 / 0.2А, 30В, SOD-80
DC (DC Components)
Код: 33266
|
158 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Код: 08570
|
189 шт | 0.29 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT20JFILM
STM (ST Microelectronics)
Код: 36093
|
32 шт | 0.34 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT41 / 0.1А, 100В, DO-35
ST Microelectronics
Код: 18347
|
195 шт | 0.31 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT41KFILM / 100V, 0.2A, SOD-523
ST (ST Microelectronics)
Код: 54851
|
15 шт | 0.50 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT42 / 0.2А, 30В, DO-35
ST (ST Microelectronics)
Код: 52401
|
40 шт | 0.29 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT46 / 0.15А, 100В, DO-35
ST Microelectronics
Код: 39281
|
125 шт | 0.24 руб./шт |
|
|
Код: 49760
|
26 шт | 0.25 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT54 (KSE) / 0.8А, 30В, SOT-23
Keen Side (KSE)
Код: 50085
|
2 187 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Код: 49664
|
48 шт | 0.08 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT54C (KSE) / 0.2А, 30В, SOT-23
Keen Side (KSE)
Код: 48511
|
2 641 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Код: 29696
|
64 шт | 0.10 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки BAT54CW / 0.2А, 30В, SOT-323
DC (DC Components)
Код: 49448
|
11 шт | 0.12 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT54CWT1G / 0.2А, 30В, SOT-323
ONS (ON Semiconductor)
Код: 50383
|
98 шт | 0.38 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT54H / 0.2А, 30В, SOT-23
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 51654
|
9 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Код: 55992
|
40 шт | 0.05 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки BAT54J (BR) / 0.2А, 30В, SOD-323
Bluerock (Blue Rocket)
Код: 53014
|
94 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Код: 53013
|
153 шт | 0.07 руб./шт |
|
|
Код: 08301
|
415 шт | 0.14 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
