«БелЧип», Минск, Тургенева, 7

A1 Viber +375(29)126-14-13

Розница

A1 Viber +375(44)768-51-81

Заказы физических лиц, почта

A1 Viber +375(44)506-72-53   gor +375(17)316-14-10

Безнал, факс (пн.-пт. 9:00-17:00)

gor +375(17)318-78-78

Выписка накладных(пн.-пт. 9:00-17:00)
Корзина
Избранное
BYN
Аноним
Каталог товаров
Обновлен 11.07.2025 в 11:34
Диоды Шоттки
Ток прямой, А (If)
Корпус
Напряжение обратное импульсное, В (Vrrm)
Производитель
Вид:
Сортировка:
Диод Шоттки
Код: 57180
10 шт 0.34 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 33994
48 шт 1.27 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 56519
12 шт 0.10 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 48878
20 шт 0.14 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53649
Ожидается: 15.07.2025
-
Диод Шоттки
Код: 33266
158 шт 0.12 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 08570
189 шт 0.29 руб./шт
Диод Шоттки
Диод Шоттки BAT20JFILM
STM (ST Microelectronics)
Код: 36093
32 шт 0.34 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 18347
195 шт 0.31 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 54851
15 шт 0.50 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 52401
40 шт 0.29 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 39281
125 шт 0.24 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49760
26 шт 0.25 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50085
2 187 шт 0.05 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49664
48 шт 0.08 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 48511
2 641 шт 0.05 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 29696
64 шт 0.10 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 49448
11 шт 0.12 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 50383
98 шт 0.38 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 51654
9 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 55992
40 шт 0.05 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53014
94 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 53013
153 шт 0.07 руб./шт
Диод Шоттки
Код: 08301
415 шт 0.14 руб./шт

Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.

В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.