+375(17)316-14-10
  |
Код: 14219
  |
58 шт | 167 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 57359
|
1 шт | 168 рос.руб./шт |
|
|
Код: 51589
|
7 шт | 194 рос.руб./шт |
|
|
Код: 48018
|
5 шт | 287 рос.руб./шт |
|
|
Диод Шоттки VS-42CTQ030PBF / 42А, 30В, TO-220
VISHAY 2016+
Код: 36095
|
28 шт | 41 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 42183
|
11 шт | 301 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 50546
|
9 шт | 94 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 50488
|
32 шт | 191 рос.руб./шт |
|
  |
Код: 57947
|
4 шт | 26 рос.руб./шт |
|
|
Код: 33111
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 05155
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 10BQ100 / 1А, 100В, DO-214AC (SMA)
Keen Side (KSE)
Код: 52605
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 37431
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 37430
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 07458
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 54766
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5819 (KSE) / 1А, 40В, DO-41
Keen Side (KSE)
Код: 54804
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 08853
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5819HW1-7-F / 1А, 40В, SOD-123
DIO (DIODES INC.)
Код: 48239
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 48621
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Диод Шоттки 1N5821 / 3А, 30В, DO-201AD
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 46276
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Код: 46640
|
Нет в наличии
|
- |
|
|
Диод Шоттки 1N5822 (MIC) / 3А, 40В, DO-201AD
MIC (Master Instruments)
Код: 50969
|
Нет в наличии
|
- |
|
  |
Код: 55464
|
Нет в наличии
|
- |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
