«БелЧип», Минск, Тургенева, 7

A1 Viber +375(29)126-14-13

Розница

A1 Viber +375(44)768-51-81

Заказы физических лиц, почта

A1 Viber +375(44)506-72-53   gor +375(17)316-14-10

Безнал, факс (пн.-пт. 9:00-17:00)

gor +375(17)318-78-78

Выписка накладных(пн.-пт. 9:00-17:00)
Корзина
Избранное
BYN
Аноним
Каталог товаров
Обновлен 29.03.2024 в 14:32
Транзистор IGBT NPT SGP07N120XKSA1 / 1200В, 16.5А, TO-220
Код товара:
30609
Производитель:
INFINEON
Страна происхождения:
Малайзия
Технические характеристики
Корпус TO-220
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces), В 1200
Ток коллектора макс. (Ic при T=25C), А 16,5
Фильтр раздела Транзистор IGBT

Описание товара
Относительно новым «стандартом», широко применяемым многими производителями (особенно для быстрых IGBT), является технология NPT (Non Punch Through). При изготовлении чипов NPT используется однородный диффузионный n –-слой подложки толщиной около 200 мкм. На нем расположен планарный затвор, а биполярный p-n-p-транзистор формируется с помощью добавления слоя p+ в основание базы. Описанная гомогенная структура лишена недостатков PT IGBT, в частности, она имеет высокую стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения и прямоугольную область безопасной работы RBSOA. Возможность защелкивания в NPT IGBT исключена для всех значений рабочих токов, вплоть до тока короткого замыкания. Однако для обеспечения высокой стойкости к пробою такая структура должна иметь широкую область подложки, а значит, и сравнительно большое значение напряжения насыщения.
4.90 руб./шт
В наличии: 12 шт