+375(17)316-14-10
  |
Код: 37352
|
30 шт | 0.94 руб./шт |
|
|
Код: 43837
|
39 шт | 0.53 руб./шт |
|
  |
Код: 41619
|
96 шт | 0.14 руб./шт |
|
  |
Код: 07275
 |
100 шт | 0.29 руб./шт |
|
  |
Код: 51979
|
7 шт | 9.05 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки FSV340AF / 3А, 40В, DO-214AD (SMAF)
ONS (ON Semiconductor)
Код: 53132
|
26 шт | 1.63 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR0540 (YJ) / 0.5А, 40В, SOD-123
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48458
|
12 шт | 0.22 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR0540T1G / 0.5А, 40В, SOD-123
ON Semiconductor
Код: 52295
|
33 шт | 0.55 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBR10100CT / 10А, 100В, TO-220
MIC (Master Instruments)
Код: 33141
|
28 шт | 2.22 руб./шт |
|
  |
Код: 12593
|
24 шт | 4.03 руб./шт |
|
|
Код: 14716
|
4 шт | 2.15 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR1645 / 16А, 45В, TO-220AC
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 35557
|
28 шт | 0.98 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (KSE) / 20А, 100В, TO-220
Keen Side (KSE)
Код: 54357
|
47 шт | 0.84 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20100CT (YJ) / 20А, 100В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 43545
|
15 шт | 1.49 руб./шт |
|
|
Код: 12710
|
16 шт | 1.66 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR20200CT / 20А, 200В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 37023
|
30 шт | 2.33 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR2045CT / 20А, 45В, TO-220-3
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40749
|
41 шт | 1.18 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBR3060CT / 30А, 60В, TO-220
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 49809
|
21 шт | 2.28 руб./шт |
|
  |
Код: 41661
|
50 шт | 2.47 руб./шт |
|
|
Код: 41658
|
3 шт | 1.70 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRB1060CT / 5А, 60В, D2PАK (TO-263AB)
ISC (Inchange Semiconductor)
Код: 38454
|
126 шт | 0.10 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRB20100CT / 20А, 100В, D2PAK
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 40261
|
187 шт | 1.70 руб./шт |
|
|
Диод Шоттки MBRB3045CTS / 30А, 45В, D2PAK
YJ (Yangzhou Yangjie)
Код: 48302
|
6 шт | 1.82 руб./шт |
|
  |
Диод Шоттки MBRF10100CT / 10А, 100В, TO-220F
ON Semiconductor
Код: 06785
|
65 шт | 0.86 руб./шт |
|
Диод Шоттки (Диод с барьером Шоттки) - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом пропускании тока.
В диодах Шоттки в качестве барьера используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, то есть они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.
